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国产fpga芯片基于JTAG接口的UserFlash烧写方法

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  • 日期: 2019-07-29
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标签: 国产fpga芯片半导体元器件芯片

国产fpga芯片基于JTAG接口的UserFlash烧写方法(GW1N-1&GW1N-1S)

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基于 JTAG 接口的 UserFlash 烧写方法 基于 JTAG 接口的 UserFlash 烧写方法 GW1N1GW1N1S 概述 GW1N1 和 GW1N1S 提供 12 Kbytes48 page x 256 Bytes的用户 闪存资源User Flash,主要特性如下所示: 100000 次写寿命周期 超过 10 年的数据保存能力85 可选的数据输入输出位宽 81632 页存储空间:256 Bytes 3A 旁路电流 页写入时间:82ms 15 基于 JTAG 接口的 UserFlash 烧写方法 UserFlash 端口信号及时序介绍 图 1 UserFlash 示意图 表 1 UserFlash 端口信号 管脚名称 1 Ra50 Ca50 Pa502 Mode30 Seq10 Aclk Rmod10 Wmod10 Rbytesel10 Wbytesel10 Pw Reset3 Pe Oe Sleep4 Din310 Dout310 注 方向 描述 I I 。。。。。。

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